Жорес алферов нобелевская премия кратко. Жорес Алфёров: флагман отечественной электроники

Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).

Ж.И. АЛФЕРОВ: СТУДЕНТ, ПРОФЕССОР - НОБЕЛЕВСКИЙ ЛАУРЕАТ

10 октября 2000 г. Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).

Студент Жорес Алферов учился на факультете электронной техники и закончил его в 1952 г., получив диплом с отличием. Годы учебы Ж.И. Алферова в ЛЭТИ совпали с началом студенческого строительного движения. В 1949 г. он в составе студенческого отряда участвовал в строительстве Красноборской ГЭС - одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.

Еще в студенческие годы Ж.И. Алферов начал свой путь в науке. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых пленочных фотоэлементов. Его доклад на институтской конференции студенческого научного общества (СНО) в 1952 г. был признан лучшим, и за него он получил первую в своей жизни научную премию - поездку на строительство Волго-Донского канала. Несколько лет он являлся председателем СНО факультета электронной техники.

После окончания ЛЭТИ Ж.И. Алферов был направлен на работу в Ленинградский физико-технический институт и стал работать в лаборатории В.М. Тучкевича. Здесь при участии Ж.И. Алферова были разработаны первые советские транзисторы.

В начале 60-х годов Ж.И. Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие Ж.И. Алферовым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений -«сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах -позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

Своими открытиями Ж.И. Алферов заложил основы современной информационной техники, в основном через разработку быстрых транзисторов и лазеров. Созданные на базе исследований Ж.И. Алферова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, это технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декорирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации CD-дисков и многое другое.

Под научным руководством Ж.И. Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.

Благодаря фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах. Светодиоды белого света благодаря своей высокой надежности и эффективности рассматриваются как источники освещения нового типа и в ближайшем будущем заменят традиционные лампы накаливания, что будет сопровождаться гигантской экономией электроэнергии.

К числу научных направлений, которые активно развивает Ж.И. Алферов, относится разработка лазеров на основе квантовых точек. Использование массивов таких квантовых точек позволяет снизить электропотребление лазеров, а также повысить стабильность их характеристик при увеличении температуры. Первый в мире лазер на квантовых точках создан группой ученых, работающих под руководством Ж.И. Алферова. Характеристики этих приборов постоянно улучшаются, и сегодня они по многим показателям превосходят все типы полупроводниковых лазеров.

Академик Ж.И. Алферов прекрасно понимает, что наука и образование неразделимы. Поэтому он целенаправленно формирует систему подготовки научных кадров по новейшим направлениям науки и техники, основанную на широком привлечении к учебному процессу академических институтов и ведущих ученых РАН.

В 1973 г. академик Ж.И. Алферов, используя непрекращающуюся тесную связь с ЛЭТИ, создает и возглавляет на своем родном факультете электронной техники первую в стране базовую кафедру в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, преподавателями которой становятся известные ученые. Система подготовки научных кадров на базовой кафедре дала прекрасные результаты. Когда в 2003 г. отмечалось тридцатилетие кафедры, то были приведены следующие данные. За 30 лет кафедра выпустила около шестисот высококвалифицированных специалистов, подавляющее большинство которых стало работать в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Более четырехсот человек защитили кандидатские диссертации, свыше тридцати - докторские, а Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов и А.Е. Жуков стали членами-корреспондентами РАН.

Организация кафедры оптоэлектроники явилась началом деятельности Ж.И. Алферова по созданию целостной образовательной структуры. В 1987 г. он создает физико-технический лицей, в 1988 г. — организует физико-технический факультет в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете, деканом которого он является. В 2002 г. по инициативе Ж.И. Алферова постановлением президиума РАН создан Академический физико-технологический университет, который в 2006 г. получил статус государственного учреждения высшего профессионального образования. Созданные образовательные и научно-исследовательские структуры в 2009 г. были объединены и получили название Санкт-Петербургский академический университет -научно-образовательный центр нанотехнологий РАН. Входящие в него подразделения размещены в прекрасных зданиях, построенных благодаря усилиям Ж.И. Алферова.

Академик Ж.И. Алферов делает все от него зависящее, чтобы поддержать международный авторитет российской науки. По его предложению президент Российской Федерации своим указом установил международную премию «Глобальная энергия», которая ежегодно присуждается троим российским и иностранным ученым, внесшим выдающийся вклад в развитие энергетики.

По инициативе и под председательством Ж.И. Алферова проводится Санкт-Петербургский научный форум «Наука и общество». В рамках этого форума первая встреча Нобелевских лауреатов «Наука и прогресс человечества» состоялась в год трехсотлетия Санкт-Петербурга. В ней приняли участие 20 Нобелевских лауреатов в области физики, химии, физиологии и медицины, экономики. Начиная с 2008 г. встречи Нобелевских лауреатов стали ежегодными. Форум 2008 г. был посвящен нанотехнологиям. Форум 2009 г. Темой форума были информационные технологии. Тема форума 2010 г. - экономика и социология в XXI веке.

Академик Ж.И. Алферов - крупнейший советский российский ученый, автор более 500 научных трудов, свыше 50 изобретений. Его работы получили мировое признание, вошли в учебники. Труды Ж.И. Алферова отмечены Нобелевской премией, Ленинской и Государственными премиями СССР и России, премией им. А.П. Карпинского (ФРГ), Демидовской премией, премией им. А.Ф. Иоффе и золотой медалью А.С. Попова (РАН), Хьюлетт-Паккардовской премией Европейского физического общества, медалью Стюарта Баллантайна Франклинского института (США), премией Киото (Япония), многими орденами и медалями СССР, России и зарубежных стран.

Жорес Иванович избран пожизненным членом института Б. Франклина и иностранным членом Национальной академии наук и Национальной инженерной академии США, иностранным членом академий наук Беларуси, Украины, Польши, Болгарии и многих других стран. Он является почетным гражданином Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и других городов России и зарубежья. Почетным доктором и профессором его избрали ученые советы многих университетов России, Японии, Китая, Швеции, Финляндии, Франции и других стран.

Все эти награды и звания заслуженно увенчали труд не только исследователя, но и организатора науки. Пятнадцать лет Ж.И. Алферов возглавлял прославленный Физико-технический институт А.Ф. Иоффе РАН. Вот уже более двадцати лет Жорес Иванович бессменный председатель Санкт-Петербургского научного центра РАН, главной задачей которого является координация научной деятельности всех петербургских академических институтов. Ж.И. Алферов - вице-президент РАН.

Профессор Быстров Ю.А.

В городе Витебске Белорусской ССР (ныне Белоруссия).

Имя получил в честь Жана Жореса, основателя газеты L"Humanite и лидера французской социалистической партии.

В 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В.И. Ульянова (ныне ‑ Санкт‑Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" имени В.И. Ульянова (Ленина).

В 1987‑2003 годах занимал должность директора института.

Доктор физико‑математических наук (1970). Член‑корреспондент Академии наук СССР (1972), академик (1979).

Специалист в области физики полупроводников , полупроводниковой и квантовой электроники.

Исследованиями Жореса Алферова фактически было создано новое направление — гетеропереходы в полупроводниках.

В 2000 г совместно с Гербертом Кремером удостоен Нобелевской премии по физике за фундаментальные работы, заложившие основы современных информационных технологий посредством создания полупроводниковых гетероструктур, используемых в cсверхвысокочастотной и оптической электронике.

Ученый ведет преподавательскую деятельность . С 1972 года — профессор, в 1973‑2004 годах был заведующим кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (ныне Санкт‑Петербургского электротехнического университета).

С 1988 года — декан физико‑технического факультета Ленинградского политехнического института (ныне ‑ Санкт‑Петербургский государственный политехнический университет).

Является ректором Санкт‑Петербургского академического университета — научно‑образовательного центра нанотехнологий РАН.

С 1989 по 1992 год Жорес Алферов был народным депутатом СССР . С 1995 года — депутат Государственной Думы ФС РФ от фракции КПРФ, член Комитет ГД по науке и наукоемким технологиям.

Жорес Алферов награжден орденами "Знак почета" (1959), Трудового Красного Знамени (1975), Октябрьской Революции (1980), Ленина (1986), а также орденами России : "За заслуги перед Отечеством" III степени (1999), "За заслуги перед Отечеством" II степени (2000), "За заслуги перед Отечеством" I степени (2005), "За заслуги перед Отечеством" IV степени (2010).

Он был удостоен Ленинской премии (1972), Государственной премии СССР (1984), Государственной премии РФ (2001).

Он является лауреатом Премии имени А.Ф. Иоффе РАН (1996), Демидовской премии (1999), Международной энергетической премии "Глобальная энергия" (2005).

Ученый также удостоен наград других государств и является почетным членом ряда университетов и академий.

В феврале 2001 года Алферов учредил Фонд поддержки образования и науки (Алферовский фонд) с целью объединения интеллектуальных, финансовых и организационных усилий российских и зарубежных физических и юридических лиц для содействия развитию российской науки и образования.

Жорес Иванович Алфёров

Сама личность Жореса Ивановича разрушает миф о том, что всю электронику придумали в Америке или Японии - где угодно, только не у нас. Да, сейчас эти страны нас намного опередили. Но все началось с открытий ленинградского ученого, которые он сделал в 1962-1974 годах и которые привели к качественным изменениям в развитии всей электронной техники. Нынешней же Нобелевской премией отмечены как его "былые" заслуги перед физикой, так и современные - создание сверхбыстрых суперкомпьютеров».

Жорес Иванович Алфёров родился 15 марта 1930 года в Витебске. Жоресом мальчика назвали в честь Жана Жореса, основателя газеты «Юманите», основателя французской социалистической партии. Отец, Иван Карпович, начинал рабочим, а после окончания Промакадемии в 1935 году работал в различных городах страны: Сталинграде, Новосибирске, Барнауле, Сясьстрое под Ленинградом. Вместе с ним путешествовала и вся семья - мать Анна Владимировна и старший брат с таким же необычным именем - Маркс.

Военные годы Алфёровы провели в городе Туринске Свердловской области, где Иван Карпович работал директором завода пороховой целлюлозы. В 1944 году в семью пришла похоронка: в Корсунь-Шевченковском сражении погиб Маркс.

С окончанием войны Алфёровы вернулись в лежащий в руинах Минск.

«Выбор мною физики, конечно, не случаен, - вспоминает Алфёров. - В послевоенном Минске, в единственной в то время в разрушенном городе русской мужской средней школе № 42 был замечательный учитель физики - Яков Борисович Мельцерзон. У нас не было физического кабинета, и Яков Борисович читал нам лекции по физике, на которых мы, вообще-то довольно "хулиганистый" класс, никогда не шалили, потому что Яков Борисович, влюбленный в физику, умел передать это отношение к своему предмету нам. На его уроках было слышно, как муха пролетит. Он не мог воспринять, что физикой можно не интересоваться и не любить! Он и порекомендовал мне ехать учиться в Ленинград.

Я, пораженный его рассказом о работе катодного осциллографа и принципах радиолокации, поехал учиться по его совету в Ленинград в Электротехнический институт (ЛЭТИ).

В ЛЭТИ, институте, сыгравшем выдающуюся роль в развитии отечественной электроники и радиотехники и в образовании в этих областях, мне очень повезло с моим первым научным руководителем. На третьем курсе, считая, что математика и теоретические дисциплины мне даются легко, а "руками" мне нужно многому учиться, я пошел работать в вакуумную лабораторию профессора Б.П. Козырева. Там я начал экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной, увы, уже покойной ныне - человека редкой доброты, незадолго до этого защитившей диссертацию по исследованию полупроводниковых фотоприемников в инфракрасной области спектра. Так, в 1950 году, полвека тому назад, полупроводники стали главным делом моей жизни.

И диплом я делал у нее. Во время выполнения дипломной работы, посвященной получению пленок и исследованию фотопроводимости теллурида висмута, в декабре 1952 года проходило распределение, и Наталия Николаевна очень хотела, чтобы я остался в ЛЭТИ на кафедре для совместной работы. Но я мечтал о Физтехе, институте Абрама Федоровича Иоффе, монография которого "Основные представления современной физики" стала для меня настольной книгой. В ЛЭТИ на наш факультет пришло три вакансии в ЛФТИ - тогдашняя аббревиатура Физико-технического института, - и одна из них досталась мне. Радости моей не было границ. И я думаю, что моя счастливая жизнь в науке была предопределена этим распределением».

5 марта 1953 года Алфёров создал первый транзистор, а в 1961 году защитил кандидатскую диссертацию, посвященную в основном разработке и исследованию мощных германиевых и частично кремниевых выпрямителей. На основе этих работ возникла отечественная силовая полупроводниковая электроника.

«Общие новые принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктурах (электронное и оптическое ограничения и особенности инжекции) я сформулировал лишь в 1966 году и, чтобы избежать засекречивания, в названии статьи говорил прежде всего о выпрямителях, а не о лазерах, - вспоминает Жорес Иванович. - В начале наших исследований гетероструктур мне не раз приходилось убеждать моих молодых коллег, теперь уже сотрудников моей лаборатории (в 1967 году я был избран ученым советом ЛФТИ заведующим сектором), что мы далеко не единственные в мире, кто занялся очевидным и естественным для природы делом: полупроводниковые физика и электроника будут развиваться на основе гетеро-, а не гомо-структур. Но, уже начиная с 1968 года, реально началось очень жесткое соревнование, прежде всего с тремя лабораториями крупнейших американских фирм - Bell Telephone, IBM и RCA.

В 1968- 1969 гг. были практически реализованы все основные идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе системы арсенид галлия -арсенид алюминия. Помимо принципиально важных фундаментальных результатов - односторонняя эффективная инжекция, эффект "сверхинжекции", диагональное туннелирование, электронное и оптическое ограничения в двойной гетероструктуре, ставшей вскоре основным элементом исследований низкоразмерного электронного газа в полупроводниках - удалось практически реализовать основные преимущества использования гетероструктур в полупроводниковых приборах: лазерах, светодиодах, солнечных батареях, динисторах и транзиторах… Важнейшим было, конечно, создание низкопороговых, работающих при комнатной температуре лазеров на предложенной нами еще в 1963 году двойной гетерострутуре (ДГС). Подход, реализованный Панишем и Хаяси на Bell Telephone и Кресселем на RCA, был значительно более узким и основывался на использовании в лазерах одиночной гетероструктуры pAlGaAs-pGaAs. Очевидно, они не верили в возможность получения эффективной инжекции в гетеропереходах и, хотя потенциальные преимущества ДГС были известны, не рискнули на ее реализацию.

Солнечные батареи на основе гетероструктур были созданы нами уже в 1970 году. А когда американцы публиковали первые работы, наши батареи уже летали на спутниках и было развернуто их промышленное производство. Блестяще доказано их преимущество в космосе многолетней эксплуатацией на орбитальной станции "Мир"…

Но это была очень тяжелая дорога. Поначалу у меня было один-два человека тех, кто со мной работали. Были ситуации, когда мы шли в тупиковом направлении. Мой аспирант будил меня в пять утра и говорил: ты заставляешь нас заниматься безнадежным делом. Твой папа старый большевик, и ты действуешь такими же методами - толкаешь, как он в революцию, нас в эти гетеропереходы! Но потом оказалось, что мы правы».

«За исследование полупроводниковых гетероструктур, лазерные диоды и сверхбыстрые транзисторы» Алфёров был удостоен Нобелевской премии по физике за 2000 год.

Исследования в этой области привели Алфёрова сначала к системам с низкоразмерным электронным газом - так называемым квантовым ямам, потом - квантовым проволокам, сейчас же ученый занимается квантовыми точками. Уже найден способ создания ансамблей таких квантовых точек в процессе выращивания гетероструктур. Это дает огромные преимущества для лазеров, в частности, резко возрастает возможный коэффициент усиления. Поэтому в сравнительно небольшом объеме достигаются большие коэффициенты усиления, и порог, при котором начнется генерация, будет меньше. Рассматривается возможность использования квантовых точек и в других приборах.

Несмотря на все трудности, Алфёров верит в будущее российской науки: «Но для этого все должны понять уже теперь: будущее России - это наука и технологии, а не распродажа сырья. Из нашего института вышли уже четверо нобелевских лауреатов: Николай Семенов, Лев Ландау, Петр Капица и я. И будущее страны - не за олигархами, а за кем-то из моих учеников».

Часть своей Нобелевской премии Алфёров отдал на развитие научно-образовательного центра физико-технического института.

«Научно-образовательный центр, который создал Алфёров в Петербурге, достоин еще одной Нобелевской премии. За опыт поддержания науки в стране, где она целое десятилетие была не нужна государству, не финансировалась. В центр приходят еще школьниками, учатся по углубленной программе, потом - институт, аспирантура, академическое образование, - рассказывает член президиума РАН, академик, директор Института радиотехники и электроники Юрий Гуляев. - Когда из страны валом начали уезжать ученые, а выпускники школ почти поголовно стали предпочитать бизнес образованию и науке - возникла страшная опасность, что знания старшего поколения ученых некому будет передать. Алфёров нашел выход и буквально совершил подвиг, создав эту своего рода "теплицу для будущих ученых"».

В ФТИ об Алфёрове говорят: он всегда добивается всего, чего хочет. Главное для него - определить четкую и ясную цель. Жорес Иванович заводила не только в делах академических: «С ним не соскучишься, - говорят его товарищи. - Особенно любит Жорес Иванович петь. Правда, данных для этого у него нет, с чем он сам соглашается. Тем не менее поет всегда в полный голос и обязательно всю песню до конца».

Первый раз Алфёров женился совсем молодым и уже в тридцать лет развелся. Несмотря ни на что отзывался о бывшей супруге только положительно. Ученый оставил ей полученную комнату в коммуналке, а сам опять переселился в общежитие. С собой он взял лишь мотоцикл. Сегодня, кстати, ученый ездит на «вольво».

В конце шестидесятых, будучи на отдыхе в Сочи, познакомился со своей второй женой - Тамарой Георгиевной, филологом по образованию. Через полгода они поженились. «Мне при этом пришлось переехать из Москвы в Питер, что прежде казалось совершенно невозможным. Не смогла устоять перед Жорой, - вспоминает сейчас Тамара Георгиевна. - Он звонил каждый день, а по выходным прилетал в столицу на пару-другую часов, чтобы только увидеть, одарить цветами и сообщить, что "любит и ждет"».

В памятный для академика 1972 год - ему присудили тогда Ленинскую премию - родился сын Иван. Сначала он пошел по стопам отца и окончил Электротехнический институт. Но позднее занялся бизнесом. Что очень расстроило отца. Попытки «образумить» сына ни к чему не привели.

Любимое место отдыха знаменитого ученого - поселок Комарово. На берегу Финского залива у академика дача, построенная еще в сталинские годы.

В лице Жореса Алферова наука получила поистине неоценимого человека, что доказывают его многочисленные награды и статусы. В настоящее время он имеет Нобелевскую премию, государственные награды Советского Союза и России, состоит в числе академиков РАН и является вице-президентом этой организации. Ранее ему была присуждена Ленинская премия. Алферов получил статус почетного гражданина многих населенных пунктов, включая российские, белорусские и даже город в Венесуэле. Он состоит в Госдуме, занимается наукой и вопросами образования.

Чем известен?

Академик Жорес Алферов, как говорят некоторые, совершил революцию в современной науке. Всего под его авторством вышло более полутысячи научных работ, порядка полусотни разработок, открытий, признанных прорывом в своей области. Благодаря ему стала возможна новая электроника - Алферов буквально создал принципы науки с нуля. Во многом именно благодаря сделанным им открытиям мы имеем ту телефонию, сотовую связь, спутники, которыми располагает человечество. Открытия Алферова обеспечили нас оптоволокном и светодиодами. Фотоника, скоростная электроника, энергетика, связанная с солнечным светом, эффективные методы экономичного расходования энергии - все это обусловлено использованием разработок Алферова.

Как известно из биографии Жореса Алферова, этот человек внес уникальный вклад в развитие цивилизации, и его достижения применяются всеми и каждым - от считывающих штрих-коды аппаратов в магазине до сложнейших устройств спутниковой связи. Перечислить все объекты, построенные с использованием наработок этого физика, просто невозможно. Можно смело говорить, что преимущественный процент жителей нашей планеты в той или иной степени пользуется открытиями Алферова. Всякий мобильный оснащен полупроводниками, которые он разработал. Без лазера, над которым он трудился, не существовало бы проигрывателей компакт-дисков, компьютеры не могли бы считывать информацию через дисковод.

Такой многосторонний

Как рассказывает биография Жореса Алферова, работы этого человека были признаны на мировом уровне, стали исключительно известными, как и он сам. Многочисленные монографии, учебники написаны с применением базовых принципов и достижений ученого. Сегодня он продолжает активно трудится, работает в сфере науки, исследовательских задач, преподает, ведет активную просветительскую деятельность. Одна из целей, выбранных себе Алферовым, - работа в направлении увеличения престижа российской физики.

Как все начиналось

Хотя для всех гениальный физик - русский, национальность Жореса Алферова - белорус. Он увидел свет в белорусском городе Витебске в 30-м году, весной - 15 марта. Отца звали Иваном, мать - Анной. Позднее физик женится на Тамаре, у него появится двое детей. Сын председательствует в управленческой структуре фонда, названного именем отца, а дочь работает в отвечающей за имущество администрации СПб НЦ РАН в должности главного специалиста.

Отец ученого был из Чашников, его мать - из Крайска. Будучи восемнадцатилетним, Иван впервые прибыл в Петербург в 1912, устроился грузчиком, трудился фабричным работником, затем перешел на завод. В период Первой всемирной войны получил статус унтер-офицера, в 17-м присоединился к большевикам, до самой смерти не отступал от идеалов своих юных лет. Потом, когда произойдут изменения в государстве, Жорес Алферов скажет, что его родителям посчастливилось не увидеть 94-й. Известно, что отец физика в период гражданской войны контактировал с Лениным, Троцким. После 35-го ему довелось быть заводским управленцем, начальствовать над трестом. Он зарекомендовал себя порядочным мужчиной, не терпящим пустого осуждения и клеветы. В жены он выбрал себе разумную, спокойную, мудрую женщину. Качества ее характера во многом передадутся сыну. Анна трудилась в библиотеке и тоже искренне верила в идеалы революции. Это заметно, между прочим, по имени ученого: в тот период было модно выбирать для детей имена, связанные с революцией, и Алферовы назвали первого ребенком Марксом, а второму дали имя в честь Жана Жореса, прославившегося своими деяниями в период революции во Франции.

Жизнь идет своим чередом

В те годы Жорес Алферов, как и его брат Маркс, были объектами пристального внимания окружающих. От детей директора ждали показательного поведения, лучших оценок, безупречной общественной активности. В 41-м Маркс окончил школу, поступил в вуз, спустя считанные недели отправился на фронт, где был тяжело ранен. В 43-м три дня удалось провести рядом с близкими - после госпиталя юноша решил вновь вернуться на защиту отечества. До конца войны дожить ему не посчастливилось, молодой человек погиб в Корсунь-Шевченковской операции. В 1956 г. младший брат отправится на поиски могилы, встретит в украинской столице Захарченю, с которым затем сдружится. Они отправятся на поиски вместе, найдут деревушку Хильки, найдут братскую могилу, заросшую сорняками с редкими вкраплениями незабудок и ноготков.

Взирающий со сделанных в последние годы фото Жорес Алферов - уверенный, опытный, мудрый человек. Эти качества, во многом полученные от матери, он взращивал в себе на протяжении всей своей непростой жизни. Известно, что в Минске молодой человек обучался в единственной школе, которая тогда работала. Ему повезло учиться у Мельцерзона. Специального кабинета для занятия физикой не было, и все же учитель приложил все силы к тому, чтобы каждый из его слушателей полюбил предмет. Хотя в целом, как потом будет вспоминать нобелевский лауреат, класс был неспокойным, на уроках физика все сидели, затаив дыхание.

Первое знакомство - первая любовь

Уже тогда, получая свое первое образование, Жорес Алферов смог познать и понять чудеса физики. Будучи школьником, от учителя он узнал, как работает осциллограф на катодах, получил общие представления о радиолокационных принципах и определил для себя будущий жизненный путь - он понял, что свяжет его именно с физикой. Было решено отправиться поступать в ЛЭТИ. Как он потом признает, юноше повезло с научным руководителем. Будучи третьекурсником, он выбрал для себя вакуумную лабораторию, начал экспериментировать под контролем Созиной, не так давно успешно защитившей диссертацию, посвященную инфракрасным полупроводниковым локаторам. Именно тогда он тесно познакомился с проводниками, которые вскоре станут центром и основным делом всей его научной карьеры.

Как вспоминает сейчас Жорес Алферов, первой прочитанной им физической монографией была «Электропроводность полупроводников». Издание было создано в период, когда Ленинград оккупировали немецкие войска. Распределение в 1952 г., начинавшееся с мечты о Физтехе, которым руководил Иоффе, дало ему новые шансы. Вакансий было три, на одну из них выбрали перспективного молодого человека. Потом он скажет, что это распределение во многом определило его будущее, а вместе с тем - будущее нашей цивилизации. Правда, в это время молодой Жорес еще не знал, что всего лишь за пару месяцев до его прихода Иоффе заставили уйти из учебного заведения, которым он руководил вот уже три десятилетия.

Развитие науки

Жорес Алферов всю жизнь ярко помнит свой первый день в вузе мечты. Это был предпоследний январский день 53-го. В качестве научного руководителя ему достался Тучкевич. Группа ученых, в которую попал Алферов, должна была разработать диоды из германия, транзисторы, причем сделать это полностью самостоятельно, не прибегая к иностранным наработкам. В том году институт был довольно мал, Жоресу выдали пропуск под номером 429 - именно столько человек работало здесь. Так сложилось, что многие как раз незадолго до этого разъехались. Кто-то устроился в центры, посвященные атомной энергетике, кто-то уехал непосредственно к Курчатову. Алферов потом будет часто вспоминать первый семинар, на который он попал на новом месте. Он выслушал доклад Гросса, его потрясло нахождение в одной аудитории с людьми, открывающими что-то новое в области, с которой он едва начал знакомиться ближе. Заполняемый тогда лабораторный журнал, в который 5 марта был вписан факт удачно сконструированного p-n-p-транзистора, Алферов и по сей день хранит как важный артефакт.

Как говорят современные ученые, остается лишь удивляться тому, как Жорес Алферов и его немногочисленные коллеги, преимущественно столь же молодые, как и он, пусть и руководимые опытным Тучкевичем, смогли достичь таких значимых достижений в короткие сроки. Всего за несколько месяцев были заложены базы транзисторной электроники, сформирован фундамент методологии, технологии в этой области.

Новые времена - новые цели

Коллектив, в котором работал Жорес Алферов, постепенно становился все многочисленнее, вскоре удалось разработать силовые выпрямители - первые на территории СССР, батареи из кремния, улавливающие солнечную энергию, а также изучены особенности активности кремниевых, германиевых примесей. В 1958 г. поступила просьба: необходимо было создать полупроводники для обеспечения работы подлодки. Такие условия требовали принципиально отличного от уже известных решения. Алферов получил личный звонок от Устинова, после чего на пару месяцев буквально переехал в лабораторию, чтобы не тратить время и не отвлекаться от работы на бытовые мелочи. Задачу решили в кратчайшие сроки, в октябре того же года подводная лодка была оснащена всем необходимым. За работу научный сотрудник получил орден, который и сегодня считает одной из ценнейших наград за свою жизнь.

1961 г. был отмечен защитой кандидатской, в которой Жорес Алферов исследовал выпрямители из германия, кремния. Работа стала фундаментом полупроводниковой советской электроники. Если первое время он был одним из немногих ученых, придерживавшихся мнения, что будущее за гетероструктурами, к 1968 г. появились сильные американские конкуренты.

Жизнь: любовь не только к физике

В 1967 г. удалось получить направление в командировку в Англию. Основной задачей было обсудить физическую теорию, которую английские физики того времени считали бесперспективной. Одновременно молодой физик приобрел свадебные подарки: уже тогда личная жизнь Жореса Алферова позволяла предположить стабильное будущее. Как только он вернулся домой, сыграли свадьбу. Женой ученый выбрал дочь актера Дарского. Потом он скажет, что в девушке невероятно сочетались красота, ум и душевность. Тамара работала в Химках, на предприятии, занимавшемся в сфере освоения космоса. Заработная плата Жореса была достаточно велика, чтобы раз в неделю летать к жене, а спустя полгода женщина перебралась в Ленинград.

Пока семья Жореса Алферова была рядом, его группа работала над идеями, связанными с гетероструктурами. Сложилось так, что за период 68-69 гг. удалось реализовать большинство перспективных идей контроля потоков света и электронов. Качества, указывающие на преимущества гетероструктур, стали очевидны даже для тех, кто сомневался. Одним из основных достижений было признано формирование лазера на сдвоенной гетероструктуре, функционирующего при комнатной температуре. Фундаментом установки стала структура, разработанная Алферовым в 1963-м.

Новые открытия и новые успехи

1969-й стал годом проведения Ньюаркской конференции, посвященной люминесценции. Доклад Алферова по эффекту можно было сравнить с внезапным взрывом. 70-71-й гг. были отмечены полугодовым пребыванием на территории Америки: Жорес трудился в Иллинойском университете в команде с Холоньяком, с которым тогда же близко сдружился. В 1971 г. ученый впервые получил награду междугородного уровня - имени Баллантайна. Институт, от имени которого была вручена эта медаль, ранее отметил ею Капице, Сахарова, и оказаться в списке медалистов для Алферова стало не просто комплиментом и признанием его заслуг, но действительно большой честью.

В 1970 советские ученые собрали первые солнечные батареи, применимые для космических установок, ориентируясь на работы Алферова. Технологии передали предприятию «Квант», применили для потокового производства, и вскоре удалось выпустить достаточно много солнечных элементов - на них строили спутники. Производство организовали в промышленном масштабе, а многочисленные преимущества технологии были доказаны длительным использованием в условиях космоса. Альтернатив, сравнимых по эффективности, для космического пространства нет и по сей день.

Плюсы и минусы популярности

Хотя в те времена про государство Жорес Алферов практически не говорил, специальные службы 70-х относились к нему с большим подозрением. Причина была очевидна - многочисленные премии. Ему пытались закрыть выезд из страны. Тогда же появились ненавистники, завистники. Впрочем, природная предприимчивость, способность быстро и адекватно реагировать, ясный ум позволили ученому блестяще справиться со всеми препонами. Не оставляла его и удача. Одним из самых счастливых в своей жизни Алферов признает 1972 г. Он получил ленинскую премию, а когда попытался дозвониться жене, чтобы сообщить об этом, трубку никто не взял. Позвонив родителям, ученый узнал, что премии премиями, но тем временем у него родился сын.

С 1987 г. Алферов руководил институтом Иоффе, в 89-м вошел в президиум ЛНЦ АН СССР, следующей ступенью стала Академия наук. Когда сменилась власть, а вместе с ней наименование учреждений, Алферов сохранил свои посты - на все он был избран вновь при абсолютном согласии большинства. В начале 90-х он сконцентрировался на наноструктурах: квантовых точках, проволочках, затем воплотил в реальность идею гетеролазера. Такой впервые был продемонстрирован публике в 95-м. Еще спустя пять лет ученый получил Нобелевскую премию.

Новые дни и новые технологии

О том, где сейчас Жорес Алферов трудится и живет, знают многие: этот Нобелевский лауреат в области физики - единственный проживающий на территории России. Он руководит «Сколково» и занимается рядом значимых проектов в области физики, поддерживает талантливую, перспективную молодежь. Именно он первый начал говорить о том, что информационные системы наших дней обязаны быть быстрыми, позволяющими передавать объемные сведения за короткие сроки, и одновременно небольшими, мобильными. Во многом возможность конструирования подобной техники обусловлена именно открытиями Алферова. Его работы и труды Кремера стали базой микроэлектроники, оптоволоконных компонентов, используемых при конструировании гетероструктур. Они, в свою очередь, являются фундаментом создания светоизлучающих диодов повышенного уровня эффективности. Их применяют при изготовлении дисплеев, ламп, используют при конструировании светофоров и осветительных систем. Батареи, создание для улавливания и преобразования солнечной энергии, в последние годы становятся все более эффективными в аспекте трансформации энергии в электричество.

2003 г. был для Алферова последним годом руководства ФТИ: мужчина достиг предельного разрешенного правилами учреждения возраста. Еще три года за ним сохранялось место научного руководителя, он же председательствовал в организованном при институте совете ученых.

Одним из важных достижений Алферова признается Академический университет, появившийся по его инициативе. В наши дни это учреждение сформировано тремя элементами: нанотехнологическим, общеобразовательным центром и девятью кафедрами высшего образования. В школу принимают с восьмого класса и только особенно одаренных детей. Алферов возглавляет университет, занимает пост ректора с первых дней существования учреждения.

Нобелевский лауреат 2000 года по физике Жорес Иванович Алферов родился в 1930 году в Витебске. Свое детство и юность он провел в БССР, его родители – коренные белорусы. Именно поэтому несмотря на то, что большую часть жизни он прожил в России, его считают в том числе белорусским ученым. Престижнейшей наградой Жорес Иванович удостоен за открытие гетероструктурных полупроводников, которые сегодня используются в современных компьютерах. Прочие наработки ученого использовались при разработке солнечных элементов для космических батарей, создании эффективного оптоволоконного кабеля, лазера компакт дисков, считывающих устройств, функционирующих на основе метода декодирования, и многих иных приспособлений и устройств. Несмотря на проживание в России ученый помнит о своих корнях родной земле, постоянно навещает Витебщину и иные места.

Обыкновенная советская семья, которая придерживалась политизированных взглядов, нарекла младшего сына именем в честь Жана Жореса – председателя социалистической партии Франции в то время. Совсем не типичное имя вовсе не мешало мальчику отлично учиться в средней школе. В это время несмотря на первостепенные сложности, связанные с изучением физики, наступает заинтересованность Алферова в точной науке. Благодаря дополнительным занятиям с учителем, а также самостоятельно полученным знаниям, в возрасте 10 лет юный исследователь создает детекторный приемник – свое первое изобретение. По окончании школы Алферов поступает в местный политехнический институт, но в результате перевода родителей в Ленинград переводится на второй курс в местном электромеханическом институте. После окончания этого учебного заведения он поступил в престижнейший ВУЗ того времени – Физико-технический институт, руководителем которого являлся академик Абрам Иоффе. Примечательно, что успешно завершив обучение и оставшись в лаборатории работать, Алферов фактически жил в ней. Вероятной причиной является ранняя женитьба и развод, поскольку квартира была оставлена бывшей жене и родившейся дочери.

Что касается непосредственной научной деятельности, то она осуществлялась как в период обучения в физико-техническом институте, так и после его окончания. Так, при участии будущего известного ученого были созданы первые советские транзисторы и силовые германиевые приборы. С 1959 года Жорес Иванович занимается изучением полупроводниковых гетероструктур. Тогда же защитил кандидатскую диссертацию на эту же тематику. Считается, что своим стремлением постичь прогрессивный в то время пласт физики, он сильно выделялся среди остальных ученых. Свою первую награду Алферов получил в 1963 году. В 1979 году защитил докторскую диссертацию, которая легла в основу исследования в области гетеропереходов в полупроводниках. Полученные результаты были высоко отмечены международным научным сообществом. Так, в этом же году ему была присуждена престижная премия Франклиновского института в США. Как отметалось ранее, в 2000 году выдающиеся заслуги были отмечены Нобелевским комитетом.

Жорес Иванович Алферов активно занимается не только наукой, но общественной деятельностью, а также политикой. При его патронаже и непосредственной инициативе в 2000-х годах в Санкт-Петербурге был возведен лицей для школьников, которые обладают способностями в области точных наук (в частности – физике). В нем преподают именитые профессоры с большим практическим опытом с целью выявления одаренных будущих ученых. Общая площадь лицея с бассейном, крытым кортом и компьютерными классами составляет 15 000 кв.м. Жорес Иванович находится в хороших отношениях с действующим президентом Российской Федерации В.В.Путиным, являлся многократно переизбираемым депутатом Госдумы. Является ректором-организатором Академического университета, членом российской и белорусской академий наук, почетным профессором многочисленных университетов по всему миру. Автор более 500 научных работ, 50 изобретений и 3 монографий.